MOSFET 场效应管笔记总结

MOS 和 PMOS的图形符号mos管的组成Ssource源极 DDrain漏极 Ggate栅极Nmos NMOS:N-metal-Oxide-Semoconductor N型-氧化物-半导体 栅极通过一层二氧化硅绝缘层与P衬底隔开源极和漏极为高掺杂的N区提供自由电子以导电而而P型衬底提供空穴。栅极加正电压时P型衬底中的空穴被排斥电子在栅下形成导电沟道使电流从漏极流向源极。Pmos也是同理。箭头方向表示衬底与沟道之间的PN结方向。NmosP型衬底指向N型沟道 Pmos:N型衬底指向P型沟道载流子Nmos 的载流子是电子 (negetive 负 自由电子) Pmos的载流子是空穴Positive 正 空穴载流子的流向 无论Mmo还是Pmos 都是源极流向漏极 .电流方向 Mmos 源极流向漏极 Pmos : 漏极流向源极导通条件 Vgs 表示栅极和源极的压差 Vgs 阈值电压 导通相反则不导通Nmos是高电压导通 Pmos的低压电导通MOS晶体管的特点是导通电阻小、开关速度快。应用推挽输出电路CMOS电路(Nmos和Pmos结合)IN输入低电平Pmos导通Vout OUT - 0.7 pmos 的电流方向D-SIN输入高电平Nmos导通Vout VSS nmos 的电流方向S-D