/*光模块布局有错误可以指出有不足可以补充*/光模块PCB布局规划01导入板框与结构约束导入这里的outline板框一般由机械提供.dxf文件板框决定PCB尺寸、器件可用区域和接口位置成功导入dxf文件后打开Board Geometry-outline可以看到PCB板框即outline;然后再根据outline操作z-copy内缩10mil得到RouteKeepin、内缩20mil得到PackageKeepin其中Routekeepin决定走线和铺铜区域PackageKeepin决定器件摆放区域02确定层叠设计与目标阻抗光模块层叠设计每个高速信号层必须相邻完整的地平面电源层与地层紧耦合形成高频去耦电容目前光模块常用层叠为8层、10层其中8层层叠层号类型描述L1Top高速信号L2GND完整地平面L3High_Speed_Signal高速信号层L4GND完整地平面L5POWERPower电源层L6High_Speed_Signal高速信号层L7GND完整地平面L8Bottom低速/控制信号PCB10层层叠层号类型描述L1Top高速信号L2GND完整地平面L3High_Speed_Signal高速信号层L4GND完整地平面L5High_Speed_Signal高速信号层L6POWERPower电源层L7GND完整地平面L8High_Speed_Signal高速信号层L9GND完整地平面L10Bottom低速/控制信号目标阻抗设计微带线(外层)阻抗公式带状线(内层)阻抗公式参数含义典型值FR-4εr介电常数4.2 ~ 4.5h介质厚度根据叠层决定w线宽由阻抗计算得出t铜厚0.5oz / 1oz / 2oz03器件分区和布局原则光模块PCB器件模块功能区一般可以分为光电转换区、高速数字区、电源管理区和MCU控制区器件布局优先放置接口元器件如金手指、连接器和天线等高速器件应该靠近接口使高速信号走线路径最短高速数字区与光电区之间需要保持一定距离避免数字信号耦合到光路电源器件布局时可参考datasheet进行摆放电阻电容其中去耦电容需要仅靠电源芯片。电容类型位置作用大容量10μF-100μF电源入口附近滤除低频纹波中容量0.1μF-1μF芯片周边中频去耦小容量0.01μF-0.001μF紧贴芯片每个电源引脚高频去耦抑制尖峰噪声关键原则小容量高频去耦电容必须尽可能靠近芯片电源引脚中间不要有过孔打线电感会破坏高频滤波效果。每个电源引脚至少配一个0.1μF电容(1)光模块核心器件布局光口器件定位(TOSA/ROSA/MTB)、高速电芯片定位(DSP/Driver/TIA/CDR)、连接器定位(金手指/SMT连接器)(2)外围电路布局电源管理单元布局、MCU/控制电路布局、ESD防护器件布局
光模块PCB设计学习记录01
/*光模块布局有错误可以指出有不足可以补充*/光模块PCB布局规划01导入板框与结构约束导入这里的outline板框一般由机械提供.dxf文件板框决定PCB尺寸、器件可用区域和接口位置成功导入dxf文件后打开Board Geometry-outline可以看到PCB板框即outline;然后再根据outline操作z-copy内缩10mil得到RouteKeepin、内缩20mil得到PackageKeepin其中Routekeepin决定走线和铺铜区域PackageKeepin决定器件摆放区域02确定层叠设计与目标阻抗光模块层叠设计每个高速信号层必须相邻完整的地平面电源层与地层紧耦合形成高频去耦电容目前光模块常用层叠为8层、10层其中8层层叠层号类型描述L1Top高速信号L2GND完整地平面L3High_Speed_Signal高速信号层L4GND完整地平面L5POWERPower电源层L6High_Speed_Signal高速信号层L7GND完整地平面L8Bottom低速/控制信号PCB10层层叠层号类型描述L1Top高速信号L2GND完整地平面L3High_Speed_Signal高速信号层L4GND完整地平面L5High_Speed_Signal高速信号层L6POWERPower电源层L7GND完整地平面L8High_Speed_Signal高速信号层L9GND完整地平面L10Bottom低速/控制信号目标阻抗设计微带线(外层)阻抗公式带状线(内层)阻抗公式参数含义典型值FR-4εr介电常数4.2 ~ 4.5h介质厚度根据叠层决定w线宽由阻抗计算得出t铜厚0.5oz / 1oz / 2oz03器件分区和布局原则光模块PCB器件模块功能区一般可以分为光电转换区、高速数字区、电源管理区和MCU控制区器件布局优先放置接口元器件如金手指、连接器和天线等高速器件应该靠近接口使高速信号走线路径最短高速数字区与光电区之间需要保持一定距离避免数字信号耦合到光路电源器件布局时可参考datasheet进行摆放电阻电容其中去耦电容需要仅靠电源芯片。电容类型位置作用大容量10μF-100μF电源入口附近滤除低频纹波中容量0.1μF-1μF芯片周边中频去耦小容量0.01μF-0.001μF紧贴芯片每个电源引脚高频去耦抑制尖峰噪声关键原则小容量高频去耦电容必须尽可能靠近芯片电源引脚中间不要有过孔打线电感会破坏高频滤波效果。每个电源引脚至少配一个0.1μF电容(1)光模块核心器件布局光口器件定位(TOSA/ROSA/MTB)、高速电芯片定位(DSP/Driver/TIA/CDR)、连接器定位(金手指/SMT连接器)(2)外围电路布局电源管理单元布局、MCU/控制电路布局、ESD防护器件布局