随着 AI PC 时代的到来CPU/GPU 峰值功耗激增对电源管理系统提出全新挑战超高电流密度、超快动态响应、极致能效。微碧半导体VBsemi凭借先进的 Trench 与 SGT 工艺为您提供覆盖核心供电、电源路径管理、负载开关的完整 AI 笔记本功率解决方案。⚡ AI 笔记本电脑三核功率组合型号封装电压/电流导通电阻在 AI 笔记本中的角色VBGQF1806DFN8(3x3)80V / 56A7.5mΩ 10V适配器输入/电池充电主开关VBQF1206DFN8(3x3)20V / 58A5.5mΩ 2.5VCPU/GPU 核心供电下管VBQF3211DFN8(3x3)-B20V / 9.4A (双N)10mΩ 10V多路电源路径管理与负载开关 VBGQF1806 · 高能效输入核心 SGT 工艺封装DFN8(3x3) (单N沟道)VDS / ID80V / 56ARDS(on) 10V7.5mΩ (max)RDS(on) 4.5V11.5mΩ (max) AI 笔记本中的关键作用用于适配器输入保护及电池充电电路。80V耐压有效抵抗适配器插拔浪涌7.5mΩ超低导通电阻显著降低导通损耗提升整机充电效率。SGT工艺确保在高开关频率下仍保持低开关损耗支持快速充电协议。⚡ VBQF1206 · 核心供电效能引擎 Trench 工艺封装DFN8(3x3) (单N沟道)VDS / ID20V / 58ARDS(on) 2.5V /4.5V5.5mΩ (max)阈值电压 Vth0.5~1.5V AI 笔记本中的关键作用作为CPU/GPU多相Buck转换器的下管。5.5mΩ极低导通电阻在2.5V驱动下即可达成极大降低了传导损耗支持高达300W的瞬时功率输出。低Vth支持低电压PWM控制器直驱优化动态响应满足AI工作负载的剧烈跳变。 VBQF3211 · 智能电源路径管家 Trench 双N封装DFN8(3x3)-B 双N沟道VDS / ID20V / 9.4A (每路)RDS(on) 4.5V12mΩ (max)栅极电荷 Qg极低 (典型) AI 笔记本中的关键作用负责DDR内存、PCIe SSD、USB PD端口等多路次要电源的智能分配与开关控制。双N沟道集成节省60% PCB面积低Qg实现纳秒级切换速度确保AI加速模块、高速外设的即时上电与低功耗待机。 AI 笔记本电脑典型功率路径示意图适配器输入 VBGQF1806 ⬇️ 电池系统电源 ➡️ VBQF3211 DDR/SSD/USB PDCPU/GPU 多相 VRM ⬇️ VBQF1206 (下管×N) 推荐选型配置 (基于笔记本平台)笔记本平台输入/充电核心供电 (每相)电源路径管理轻薄本/UltrabookVBGQF1806 × 1VBQF1206 × 4-6VBQF3211 × 2-3性能本/Creator PCVBGQF1806 × 1-2VBQF1206 × 8-12VBQF3211 × 3-4AI 工作站/游戏本VBGQF1806 × 2 (并联)VBQF1206 × 12 (多相并联)VBQF3211 × 4 为什么这套方案匹配 AI 笔记本电脑趋势✅超高电流密度— DFN8小封装支持58A持续电流满足空间受限下的高功率需求✅极致能效— 毫欧级导通电阻显著降低全负载范围损耗延长电池续航✅快速动态响应— 低Qg与低Vth优化开关速度精准匹配AI计算突发负载✅高集成度— 双N沟道封装简化多路电源设计为散热与AI模块预留空间
AI 笔记本电脑高效能功率 MOSFET 精准选型方案
随着 AI PC 时代的到来CPU/GPU 峰值功耗激增对电源管理系统提出全新挑战超高电流密度、超快动态响应、极致能效。微碧半导体VBsemi凭借先进的 Trench 与 SGT 工艺为您提供覆盖核心供电、电源路径管理、负载开关的完整 AI 笔记本功率解决方案。⚡ AI 笔记本电脑三核功率组合型号封装电压/电流导通电阻在 AI 笔记本中的角色VBGQF1806DFN8(3x3)80V / 56A7.5mΩ 10V适配器输入/电池充电主开关VBQF1206DFN8(3x3)20V / 58A5.5mΩ 2.5VCPU/GPU 核心供电下管VBQF3211DFN8(3x3)-B20V / 9.4A (双N)10mΩ 10V多路电源路径管理与负载开关 VBGQF1806 · 高能效输入核心 SGT 工艺封装DFN8(3x3) (单N沟道)VDS / ID80V / 56ARDS(on) 10V7.5mΩ (max)RDS(on) 4.5V11.5mΩ (max) AI 笔记本中的关键作用用于适配器输入保护及电池充电电路。80V耐压有效抵抗适配器插拔浪涌7.5mΩ超低导通电阻显著降低导通损耗提升整机充电效率。SGT工艺确保在高开关频率下仍保持低开关损耗支持快速充电协议。⚡ VBQF1206 · 核心供电效能引擎 Trench 工艺封装DFN8(3x3) (单N沟道)VDS / ID20V / 58ARDS(on) 2.5V /4.5V5.5mΩ (max)阈值电压 Vth0.5~1.5V AI 笔记本中的关键作用作为CPU/GPU多相Buck转换器的下管。5.5mΩ极低导通电阻在2.5V驱动下即可达成极大降低了传导损耗支持高达300W的瞬时功率输出。低Vth支持低电压PWM控制器直驱优化动态响应满足AI工作负载的剧烈跳变。 VBQF3211 · 智能电源路径管家 Trench 双N封装DFN8(3x3)-B 双N沟道VDS / ID20V / 9.4A (每路)RDS(on) 4.5V12mΩ (max)栅极电荷 Qg极低 (典型) AI 笔记本中的关键作用负责DDR内存、PCIe SSD、USB PD端口等多路次要电源的智能分配与开关控制。双N沟道集成节省60% PCB面积低Qg实现纳秒级切换速度确保AI加速模块、高速外设的即时上电与低功耗待机。 AI 笔记本电脑典型功率路径示意图适配器输入 VBGQF1806 ⬇️ 电池系统电源 ➡️ VBQF3211 DDR/SSD/USB PDCPU/GPU 多相 VRM ⬇️ VBQF1206 (下管×N) 推荐选型配置 (基于笔记本平台)笔记本平台输入/充电核心供电 (每相)电源路径管理轻薄本/UltrabookVBGQF1806 × 1VBQF1206 × 4-6VBQF3211 × 2-3性能本/Creator PCVBGQF1806 × 1-2VBQF1206 × 8-12VBQF3211 × 3-4AI 工作站/游戏本VBGQF1806 × 2 (并联)VBQF1206 × 12 (多相并联)VBQF3211 × 4 为什么这套方案匹配 AI 笔记本电脑趋势✅超高电流密度— DFN8小封装支持58A持续电流满足空间受限下的高功率需求✅极致能效— 毫欧级导通电阻显著降低全负载范围损耗延长电池续航✅快速动态响应— 低Qg与低Vth优化开关速度精准匹配AI计算突发负载✅高集成度— 双N沟道封装简化多路电源设计为散热与AI模块预留空间
