D2001UK，1GHz频段下2.5W高功率输出的单端式硅DMOS RF FET射频晶体管

简介今天我要向大家介绍的是Semelab的硅DMOS RF FET晶体管——D2001UK。这是一款专为VHF/UHF通信频段50 MHz至1 GHz设计的单端式射频功率场效应管在28V工作电压、1GHz频率下可提供2.5W的输出功率。作为一款高性能射频器件它具备极低的反向传输电容典型值0.5 pF和低噪声特性极大简化了放大器设计其简单的偏置电路与优异的宽带适用性确保了在各类射频应用中实现高效稳定的运行支持20:1的负载失配容忍度是高频通信、宽带射频放大及工业通信设备的理想选择。主要特性类型 硅DMOS RF FET单端式/Single-Ended金属栅极工作条件 VDS 28VIDQ 0.1Af 1GHz输出功率 2.5W在1GHz下功率增益 13 dB 最小值在2.5W输出1GHz下漏极效率 40%典型值在2.5W输出1GHz下灵敏度/容差 负载失配容忍度 20:1 VSWR反向传输电容 极低典型值0.5 pF漏源击穿电压 65V热阻 结到外壳最大 10°C/W工作/存储温度 -65°C 至 150°C存储温度最高结温200°C封装 SOT171含氧化铍陶瓷请注意毒性防范环保 RoHS compliant符合RoHS标准应用VHF/UHF 通信系统50 MHz 至 1 GHz宽带射频放大器应用简化设计的射频功率放大模块工业及要求高增益、高效率的射频发射设备相关型号D2002UKD2003UKD2004UKD2005UKD2006UKD2007UKD2008UKD2009UKD2010UKD2011UKD2012UKD2013UKD2014UKD2015UKD2016UK