长鑫科技国内DRAM扩产主力军在当前半导体繁荣周期中长鑫科技集团股份有限公司下称长鑫科技是国内体量最大的DRAM动态随机存取存储器扩产主体之一。5月17日长鑫科技更新后的科创板IPO招股书显示2026年一季度该公司实现营收508亿元归母净利润247.6亿元预计2026年上半年归母净利润为500亿至570亿元。同样是2026年一季度SK海力士000660.KS营收折合人民币约2700亿元三星电子005930.KS存储芯片业务营收折合人民币约3800亿元。长鑫科技508亿元的季度营收相当于SK海力士同期的约五分之一。从业务结构看长鑫科技和SK海力士都是以DRAM为核心的IDM厂商垂直整合制造商集芯片设计、晶圆制造、封装测试于一体不过SK海力士约三成营收来自NAND闪存非易失性存储芯片长鑫科技目前是纯粹的DRAM公司。可以说长鑫科技正在成为中国的“海力士”。全球存储行业由三星、SK海力士和美光科技MU.NASDAQ主导了十余年长鑫科技是过去十余年来最接近行业头部位置的新进入者。工序背后的设备商制造一块DRAM芯片主要流程可简化为在硅片上反复沉积薄膜、用光刻定义电路图案、用刻蚀去除多余部分、用化学机械抛光CMP把表面磨平再进行离子注入、清洗、检测。整个过程涉及数百道工序每道都需专用设备。一位长期关注半导体设备的投资人表示在DRAM产线的设备资本开支中刻蚀和薄膜沉积设备合计约占50%是份额最大的两类其次是光刻设备再次是量测检测设备对芯片上的薄膜厚度、线宽、缺陷等进行精密测量和检查的设备其中量测检测约占设备总开支的12%至15%。这些设备过去长期依赖进口。尽管美日厂商如应用材料Applied Materials、泛林集团Lam Research、东京电子TEL等仍占据全球半导体设备市场主要份额但过去几年国产设备在国内存储产线上的渗透率快速提升。一位接近长鑫科技的产业链人士称长鑫科技目前的国产设备整体占比大约在四成到五成之间。长江存储科技有限责任公司下称长江存储武汉三期工厂中国产设备的采购占比已过半刻蚀、薄膜沉积、清洗、检测等核心工序的国产化率更是超过了60%。不过长鑫科技和长江存储的国产设备占比在各个生产环节分布并不均匀CMP和清洗设备的国产化率较高刻蚀和薄膜沉积设备正快速渗透量测检测、涂胶显影等环节的国产化率仍然偏低提升空间最大。刻蚀设备用量和金额占比都较大其工作原理是用等离子体或化学气体在芯片上“雕刻”出电路需要的沟槽和线条。沟槽刻得越深、越窄技术难度越高业内用“深宽比”衡量深宽比越大设备精度和控制能力越强。北方华创002371.SZ是国内覆盖品类最全的半导体设备公司之一产品线横跨刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗、离子注入等多个环节。2025年其刻蚀设备和薄膜沉积设备收入均超过百亿元同年北方华创的立式炉和PVD设备PVD即物理气相沉积用于在芯片上镀上金属薄膜交付数量双双突破1000台。5月15日业绩说明会上北方华创董事长赵晋荣表示国内各地新建晶圆产线整体设备国产化率持续抬升各类产线的国产化均在加速导入。中微公司688012.SH是国内主要的刻蚀设备厂商。2026年一季报显示其自主开发的超高深宽比刻蚀机已有300多台反应器刻蚀设备中实际执行刻蚀工艺的核心单元在存储产线实现量产下一代90:1超高深宽比低温刻蚀设备也已送至客户端验证第二代ICP电感耦合等离子体刻蚀设备在3D DRAM应用中取得了140:1的刻蚀结果。90:1和140:1意味着在一片硅片上刻出的沟槽宽度不到头发丝的万分之一深度是宽度的90倍甚至140倍这对设备精度和稳定性要求极高。DRAM芯片每升级一代对刻蚀设备的深宽比要求也随之提高能做到140:1的深宽比意味着设备能支撑最新一代DRAM的制造需求。薄膜沉积设备负责在硅片上一层层“生长”出功能性薄膜。在DRAM制造过程中电容器中的两层关键薄膜电极材料层和高介电常数介质层需要用原子层沉积ALD设备来制备。ALD以单个原子的厚度为单位逐层沉积精度极高。拓荆科技688072.SH是国内主要的薄膜沉积设备厂商。2026年一季度该公司实现营收11.12亿元同比增长57%实现归母净利润5.71亿元同比扭亏为盈。2025年全年其PECVD等离子体增强化学气相沉积一种在芯片上沉积介质薄膜的工艺设备收入51.42亿元同比增长75%ALD设备收入3.01亿元同比增长192%。截至2025年底拓荆科技累计出货超过3400个反应腔进入约100条芯片生产线。2025年9月国家大基金三期将首个产业投资项目落在拓荆科技的子公司拓荆键科后者专注于先进键合设备的研发。化学机械抛光CMP和测试也是DRAM制造中不可缺少的环节。CMP的作用是在每一层电路完成后把晶圆表面磨到纳米级的平整度否则后续工序无法精确进行。2026年4月华海清科688120.SH第1000台CMP装备出机。该公司CMP装备已广泛应用于主流工艺平台在国内12英寸先进生产线的覆盖率和市场占有率持续提升占据国产CMP装备销售90%以上份额。测试是芯片出厂前的最后一道关卡每颗DRAM芯片都要在测试机上完成功能验证测试机速率必须匹配甚至超过DDR5内存的数据传输速率否则无法准确检出缺陷。2026年1月精智达688627.SH签下13.11亿元的半导体测试设备合同覆盖DRAM和HBM高带宽内存全流程测试。其自主研发的高速FT成品功能测试测试机速率达到每秒90亿比特超过了日本爱德万Advantest全球最大的半导体测试设备厂商之一主力机型每秒80亿比特的水平。2025年该公司半导体测试设备收入同比增长超过150%已取代显示检测成为公司第一大业务。长鑫科技2026年二季度已开启新一轮设备招投标全年计划扩产约5万至6万片晶圆对应的设备采购需求或在350亿至430亿元人民币。此外长鑫科技招股书中披露的IPO募投项目中设备购置及安装费合计220.66亿元长江存储2号厂房的工艺设备采购及安装项目也已于5月启动招标。从前驱体到抛光液设备是一次性投入可运行多年而材料在芯片制造过程中持续消耗产能越大消耗越多。一位长期关注存储产业链的券商分析师表示围绕存储扩产的投资传导通常是设备先行材料随后产能建起来后耗材用量提升明显。长鑫科技招股书显示2025年原材料采购总额约114.7亿元。按品类拆分化学品用于清洗和湿法工艺占比最大为37.29%光阻剂光刻工序中定义电路图案的感光材料占12.16%硅片芯片制造的基底材料占8.55%电子特气刻蚀和沉积工序使用的高纯气体占5.10%靶材物理气相沉积工序使用的高纯金属材料占2.21%。前驱体是DRAM产线用量最大的特种化学品之一是薄膜沉积工序使用的化学原料在ALD和CVD化学气相沉积设备中前驱体被加热分解后在芯片表面生成所需的薄膜。DRAM芯片中电容器的制造大量依赖前驱体且工艺每升级一代前驱体用量随之上升。雅克科技002409.SZ是国内半导体前驱体材料领域规模最大的公司之一产品覆盖高介电常数材料、硅基材料和金属材料等多个品类。2025年全年雅克科技营收86.11亿元同比增长25.49%。其江苏工厂的前驱体国产化项目已有产品通过客户端验证正在转入批量试生产。CMP化学机械抛光是芯片制造中实现晶圆表面平整化的关键工序。其原理是用旋转的抛光垫配合抛光液利用化学腐蚀和机械研磨把表面磨到纳米级的平整度。抛光液是这道工序中最主要的消耗品。安集科技688019.SH是国内CMP抛光液的龙头企业2026年一季度营收7.24亿元同比增长32.76%创下单季度新高。其多款钨抛光液已在存储芯片先进制程通过验证并持续上量。晶圆制造需要大量高纯度的特种气体如刻蚀工序用含氟气体薄膜沉积用反应气体清洗工序用高纯氮气和氩气。这些气体纯度要求极高通常在99.999%业内称“5个9”以上。晶圆厂通常由专业供应商在厂区内建设制气站就地生产、管道输送。电子特气按供应方式分为两类。一类是瓶装特种气体国内主要供应商包括华特气体688268.SH、金宏气体688106.SH等另一类是现场制气长期由海外公司主导近年来广钢气体、正帆科技688596.SH等国内企业开始进入头部晶圆厂的供应体系。不过目前能在12英寸先进存储产线上提供现场制气服务的国内企业仍然很少该领域国产化率在所有材料品类中较低。尽管各品类国产化进度不同但国产供应商的导入已产生实际效果。长鑫科技招股书显示以2023年为基准到2025年硅片采购单价下降约30%靶材下降约22%备件下降接近47%化学品下降约26%几乎所有品类采购成本都在走低。长鑫科技将“加大国产供应商导入力度”列为降本增效的措施之一导入国产供应商可改善供应链安全和采购成本。国产设备“钱景”打开多位业内人士表示国产半导体设备和材料公司过去面临的最大困难除技术积累和资金投入关键是缺少在产线上验证的机会。深圳一家存储芯片企业的市场负责人周勇辉称国产设备拿不到大客户订单就没足够收入支撑研发投入没有研发投入产品性能追不上海外厂商产品性能追不上就更拿不到订单。一台新设备从进入晶圆厂到通过全部工艺验证通常需一到两年期间设备厂商要派工程师常驻客户产线反复调整参数。一位在半导体设备行业工作多年的工程师蒋彬表示在国产存储大厂起来之前国内大多数晶圆厂更倾向于采购海外成熟设备因为未经充分验证的设备上产线一旦出问题会影响整条产线的良率和交付。长鑫科技正在填补这个空缺。其招股书中明确表述“公司规模化生产需求为设备、材料等上游企业提供了重要的技术验证和商业化应用机会推动上游供应链构建更加成熟的市场供给能力。”接近长鑫科技的产业链人士称很多国产半导体设备和材料厂商这几年成长较快和长鑫科技、长江存储持续提供产线验证机会有直接关系这两家公司的产线是国产设备从“能用”到“好用”的核心验证平台。存储芯片制造和逻辑芯片不同存储芯片使用标准化制造平台同一代平台上生产的产品使用同一套设备配置和工艺参数国产设备在某一代平台完成验证和导入后后续产能扩张按同一方案复制放量速度快。长鑫科技全部产线的国产设备综合占比已到四五成但包含此前几代平台上导入的设备。单看目前量产的第四代工艺平台国产设备参与比例可能还不到20%。不过长鑫科技正在开发的新一代平台国产设备和材料厂商参与度大幅提升国产化比例有望超过40%。这意味着长鑫科技接下来每新增1万片晶圆的月产能国产设备厂商能拿到的订单份额大约是过去的两倍。长鑫科技还需新增多少产能截至2025年底该公司月产能约28万至29万片12英寸晶圆。上述投资人估算按照中国大陆的DRAM消费量长鑫科技月产能至少需扩张到80万片才能覆盖国内需求的相当一部分。从29万片到80万片中间约有50万片的缺口每新增1万片月产能大约需要70多亿元人民币的设备投资。长鑫科技在招股书的75亿元量产线升级改造项目中强调“同步实施本土及新型设备、材料、零部件等的导入及合作促进产业链、供应链本土化、多元化。”市场研究机构Omdia数据显示全球DRAM市场规模预计将从2025年的1505亿美元增长至2030年的5710亿美元年均复合增长率超过30%。长鑫科技2026年一季度的全球DRAM份额已达9.7%而2025年二季度这个数字还只有3.97%。长鑫科技在招股书中称“充分发挥产业链链主引领作用推动供应链本土化、多元化”。其IPO拟募资的295亿元中220亿元用于设备采购。如果新一代工艺平台国产化率超过40%仅长鑫科技这一笔IPO募投就将为国产设备公司带来近百亿元的订单。另外如果月产能从29万片扩张到80万片对应的设备投资额可能高达数千亿元。那么国产半导体设备厂商能否抓住这一机遇实现更大的发展呢
长鑫科技崛起：国产半导体设备和材料的“钱景”与机遇
长鑫科技国内DRAM扩产主力军在当前半导体繁荣周期中长鑫科技集团股份有限公司下称长鑫科技是国内体量最大的DRAM动态随机存取存储器扩产主体之一。5月17日长鑫科技更新后的科创板IPO招股书显示2026年一季度该公司实现营收508亿元归母净利润247.6亿元预计2026年上半年归母净利润为500亿至570亿元。同样是2026年一季度SK海力士000660.KS营收折合人民币约2700亿元三星电子005930.KS存储芯片业务营收折合人民币约3800亿元。长鑫科技508亿元的季度营收相当于SK海力士同期的约五分之一。从业务结构看长鑫科技和SK海力士都是以DRAM为核心的IDM厂商垂直整合制造商集芯片设计、晶圆制造、封装测试于一体不过SK海力士约三成营收来自NAND闪存非易失性存储芯片长鑫科技目前是纯粹的DRAM公司。可以说长鑫科技正在成为中国的“海力士”。全球存储行业由三星、SK海力士和美光科技MU.NASDAQ主导了十余年长鑫科技是过去十余年来最接近行业头部位置的新进入者。工序背后的设备商制造一块DRAM芯片主要流程可简化为在硅片上反复沉积薄膜、用光刻定义电路图案、用刻蚀去除多余部分、用化学机械抛光CMP把表面磨平再进行离子注入、清洗、检测。整个过程涉及数百道工序每道都需专用设备。一位长期关注半导体设备的投资人表示在DRAM产线的设备资本开支中刻蚀和薄膜沉积设备合计约占50%是份额最大的两类其次是光刻设备再次是量测检测设备对芯片上的薄膜厚度、线宽、缺陷等进行精密测量和检查的设备其中量测检测约占设备总开支的12%至15%。这些设备过去长期依赖进口。尽管美日厂商如应用材料Applied Materials、泛林集团Lam Research、东京电子TEL等仍占据全球半导体设备市场主要份额但过去几年国产设备在国内存储产线上的渗透率快速提升。一位接近长鑫科技的产业链人士称长鑫科技目前的国产设备整体占比大约在四成到五成之间。长江存储科技有限责任公司下称长江存储武汉三期工厂中国产设备的采购占比已过半刻蚀、薄膜沉积、清洗、检测等核心工序的国产化率更是超过了60%。不过长鑫科技和长江存储的国产设备占比在各个生产环节分布并不均匀CMP和清洗设备的国产化率较高刻蚀和薄膜沉积设备正快速渗透量测检测、涂胶显影等环节的国产化率仍然偏低提升空间最大。刻蚀设备用量和金额占比都较大其工作原理是用等离子体或化学气体在芯片上“雕刻”出电路需要的沟槽和线条。沟槽刻得越深、越窄技术难度越高业内用“深宽比”衡量深宽比越大设备精度和控制能力越强。北方华创002371.SZ是国内覆盖品类最全的半导体设备公司之一产品线横跨刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗、离子注入等多个环节。2025年其刻蚀设备和薄膜沉积设备收入均超过百亿元同年北方华创的立式炉和PVD设备PVD即物理气相沉积用于在芯片上镀上金属薄膜交付数量双双突破1000台。5月15日业绩说明会上北方华创董事长赵晋荣表示国内各地新建晶圆产线整体设备国产化率持续抬升各类产线的国产化均在加速导入。中微公司688012.SH是国内主要的刻蚀设备厂商。2026年一季报显示其自主开发的超高深宽比刻蚀机已有300多台反应器刻蚀设备中实际执行刻蚀工艺的核心单元在存储产线实现量产下一代90:1超高深宽比低温刻蚀设备也已送至客户端验证第二代ICP电感耦合等离子体刻蚀设备在3D DRAM应用中取得了140:1的刻蚀结果。90:1和140:1意味着在一片硅片上刻出的沟槽宽度不到头发丝的万分之一深度是宽度的90倍甚至140倍这对设备精度和稳定性要求极高。DRAM芯片每升级一代对刻蚀设备的深宽比要求也随之提高能做到140:1的深宽比意味着设备能支撑最新一代DRAM的制造需求。薄膜沉积设备负责在硅片上一层层“生长”出功能性薄膜。在DRAM制造过程中电容器中的两层关键薄膜电极材料层和高介电常数介质层需要用原子层沉积ALD设备来制备。ALD以单个原子的厚度为单位逐层沉积精度极高。拓荆科技688072.SH是国内主要的薄膜沉积设备厂商。2026年一季度该公司实现营收11.12亿元同比增长57%实现归母净利润5.71亿元同比扭亏为盈。2025年全年其PECVD等离子体增强化学气相沉积一种在芯片上沉积介质薄膜的工艺设备收入51.42亿元同比增长75%ALD设备收入3.01亿元同比增长192%。截至2025年底拓荆科技累计出货超过3400个反应腔进入约100条芯片生产线。2025年9月国家大基金三期将首个产业投资项目落在拓荆科技的子公司拓荆键科后者专注于先进键合设备的研发。化学机械抛光CMP和测试也是DRAM制造中不可缺少的环节。CMP的作用是在每一层电路完成后把晶圆表面磨到纳米级的平整度否则后续工序无法精确进行。2026年4月华海清科688120.SH第1000台CMP装备出机。该公司CMP装备已广泛应用于主流工艺平台在国内12英寸先进生产线的覆盖率和市场占有率持续提升占据国产CMP装备销售90%以上份额。测试是芯片出厂前的最后一道关卡每颗DRAM芯片都要在测试机上完成功能验证测试机速率必须匹配甚至超过DDR5内存的数据传输速率否则无法准确检出缺陷。2026年1月精智达688627.SH签下13.11亿元的半导体测试设备合同覆盖DRAM和HBM高带宽内存全流程测试。其自主研发的高速FT成品功能测试测试机速率达到每秒90亿比特超过了日本爱德万Advantest全球最大的半导体测试设备厂商之一主力机型每秒80亿比特的水平。2025年该公司半导体测试设备收入同比增长超过150%已取代显示检测成为公司第一大业务。长鑫科技2026年二季度已开启新一轮设备招投标全年计划扩产约5万至6万片晶圆对应的设备采购需求或在350亿至430亿元人民币。此外长鑫科技招股书中披露的IPO募投项目中设备购置及安装费合计220.66亿元长江存储2号厂房的工艺设备采购及安装项目也已于5月启动招标。从前驱体到抛光液设备是一次性投入可运行多年而材料在芯片制造过程中持续消耗产能越大消耗越多。一位长期关注存储产业链的券商分析师表示围绕存储扩产的投资传导通常是设备先行材料随后产能建起来后耗材用量提升明显。长鑫科技招股书显示2025年原材料采购总额约114.7亿元。按品类拆分化学品用于清洗和湿法工艺占比最大为37.29%光阻剂光刻工序中定义电路图案的感光材料占12.16%硅片芯片制造的基底材料占8.55%电子特气刻蚀和沉积工序使用的高纯气体占5.10%靶材物理气相沉积工序使用的高纯金属材料占2.21%。前驱体是DRAM产线用量最大的特种化学品之一是薄膜沉积工序使用的化学原料在ALD和CVD化学气相沉积设备中前驱体被加热分解后在芯片表面生成所需的薄膜。DRAM芯片中电容器的制造大量依赖前驱体且工艺每升级一代前驱体用量随之上升。雅克科技002409.SZ是国内半导体前驱体材料领域规模最大的公司之一产品覆盖高介电常数材料、硅基材料和金属材料等多个品类。2025年全年雅克科技营收86.11亿元同比增长25.49%。其江苏工厂的前驱体国产化项目已有产品通过客户端验证正在转入批量试生产。CMP化学机械抛光是芯片制造中实现晶圆表面平整化的关键工序。其原理是用旋转的抛光垫配合抛光液利用化学腐蚀和机械研磨把表面磨到纳米级的平整度。抛光液是这道工序中最主要的消耗品。安集科技688019.SH是国内CMP抛光液的龙头企业2026年一季度营收7.24亿元同比增长32.76%创下单季度新高。其多款钨抛光液已在存储芯片先进制程通过验证并持续上量。晶圆制造需要大量高纯度的特种气体如刻蚀工序用含氟气体薄膜沉积用反应气体清洗工序用高纯氮气和氩气。这些气体纯度要求极高通常在99.999%业内称“5个9”以上。晶圆厂通常由专业供应商在厂区内建设制气站就地生产、管道输送。电子特气按供应方式分为两类。一类是瓶装特种气体国内主要供应商包括华特气体688268.SH、金宏气体688106.SH等另一类是现场制气长期由海外公司主导近年来广钢气体、正帆科技688596.SH等国内企业开始进入头部晶圆厂的供应体系。不过目前能在12英寸先进存储产线上提供现场制气服务的国内企业仍然很少该领域国产化率在所有材料品类中较低。尽管各品类国产化进度不同但国产供应商的导入已产生实际效果。长鑫科技招股书显示以2023年为基准到2025年硅片采购单价下降约30%靶材下降约22%备件下降接近47%化学品下降约26%几乎所有品类采购成本都在走低。长鑫科技将“加大国产供应商导入力度”列为降本增效的措施之一导入国产供应商可改善供应链安全和采购成本。国产设备“钱景”打开多位业内人士表示国产半导体设备和材料公司过去面临的最大困难除技术积累和资金投入关键是缺少在产线上验证的机会。深圳一家存储芯片企业的市场负责人周勇辉称国产设备拿不到大客户订单就没足够收入支撑研发投入没有研发投入产品性能追不上海外厂商产品性能追不上就更拿不到订单。一台新设备从进入晶圆厂到通过全部工艺验证通常需一到两年期间设备厂商要派工程师常驻客户产线反复调整参数。一位在半导体设备行业工作多年的工程师蒋彬表示在国产存储大厂起来之前国内大多数晶圆厂更倾向于采购海外成熟设备因为未经充分验证的设备上产线一旦出问题会影响整条产线的良率和交付。长鑫科技正在填补这个空缺。其招股书中明确表述“公司规模化生产需求为设备、材料等上游企业提供了重要的技术验证和商业化应用机会推动上游供应链构建更加成熟的市场供给能力。”接近长鑫科技的产业链人士称很多国产半导体设备和材料厂商这几年成长较快和长鑫科技、长江存储持续提供产线验证机会有直接关系这两家公司的产线是国产设备从“能用”到“好用”的核心验证平台。存储芯片制造和逻辑芯片不同存储芯片使用标准化制造平台同一代平台上生产的产品使用同一套设备配置和工艺参数国产设备在某一代平台完成验证和导入后后续产能扩张按同一方案复制放量速度快。长鑫科技全部产线的国产设备综合占比已到四五成但包含此前几代平台上导入的设备。单看目前量产的第四代工艺平台国产设备参与比例可能还不到20%。不过长鑫科技正在开发的新一代平台国产设备和材料厂商参与度大幅提升国产化比例有望超过40%。这意味着长鑫科技接下来每新增1万片晶圆的月产能国产设备厂商能拿到的订单份额大约是过去的两倍。长鑫科技还需新增多少产能截至2025年底该公司月产能约28万至29万片12英寸晶圆。上述投资人估算按照中国大陆的DRAM消费量长鑫科技月产能至少需扩张到80万片才能覆盖国内需求的相当一部分。从29万片到80万片中间约有50万片的缺口每新增1万片月产能大约需要70多亿元人民币的设备投资。长鑫科技在招股书的75亿元量产线升级改造项目中强调“同步实施本土及新型设备、材料、零部件等的导入及合作促进产业链、供应链本土化、多元化。”市场研究机构Omdia数据显示全球DRAM市场规模预计将从2025年的1505亿美元增长至2030年的5710亿美元年均复合增长率超过30%。长鑫科技2026年一季度的全球DRAM份额已达9.7%而2025年二季度这个数字还只有3.97%。长鑫科技在招股书中称“充分发挥产业链链主引领作用推动供应链本土化、多元化”。其IPO拟募资的295亿元中220亿元用于设备采购。如果新一代工艺平台国产化率超过40%仅长鑫科技这一笔IPO募投就将为国产设备公司带来近百亿元的订单。另外如果月产能从29万片扩张到80万片对应的设备投资额可能高达数千亿元。那么国产半导体设备厂商能否抓住这一机遇实现更大的发展呢
