H5AN8G6NDJR-XNCSK海力士8Gb DDR4-3200内存颗粒的技术解析在服务器、个人电脑及工业嵌入式系统等领域内存的带宽与容量直接影响系统的综合性能。DDR4 SDRAM凭借其成熟的工艺、较高的数据传输速率以及相对较低的功耗仍是当前众多计算平台的基础组件。H5AN8G6NDJR-XNC是SK海力士推出的一款8Gbit DDR4 SDRAM内存颗粒采用512M x 16的组织结构支持最高DDR4-3200规格的数据传输速率为需要高带宽和高能效的通用计算与嵌入式应用提供了可靠的存储方案。一、核心规格与技术参数H5AN8G6NDJR-XNC属于海力士的DDR4 DRAM产品线基于先进的CMOS工艺制造。参数规格制造商SK海力士SK hynix内存类型DDR4 SDRAM存储密度8 Gbit约1 GB组织结构512M × 16512M地址单元16位数据输出封装类型FBGA-96细间距球栅阵列96-ball封装尺寸13.0mm × 7.5mm数据速率3200 MbpsDDR4-3200时钟频率1600 MHz工作电压1.2 VVDD / VDDQ电压范围1.14V ~ 1.26V工作温度0°C ~ 85°C商业级刷新周期64ms内4096次刷新标准符合性JEDEC DDR4标准、RoHS合规二、高速数据传输与带宽DDR4-3200的数据传输速率是该颗粒的核心性能优势。3200Mbps3200 MT/s意味着相较于DDR4-2666约21.3 GB/s理论带宽其在x16配置下提供了更高的数据吞吐能力。在x16数据总线宽度下理论峰值带宽为3200 Mbps × 16位 51.2 Gbps 约6.4 GB/s。这一性能水平足以满足高性能笔记本电脑、入门级服务器及工业计算机对内存带宽的需求。该颗粒支持多Bank页突发访问模式MULTI BANK PAGE BURST支持连续和交错突发长度4和8在顺序访问和随机访问模式之间取得平衡。该器件的最大时钟频率fCLK达1600 MHz数据在时钟的上升沿和下降沿同时传输实现数据速率相对于时钟频率的倍乘。三、低电压与低功耗设计H5AN8G6NDJR-XNC的工作电压为1.2V电压范围1.14V至1.26V。功耗参数典型值工作电压1.2V待机电流最大值33mA供电电流最大值63mA1.2V的标准工作电压是DDR4世代相较DDR31.5V的重要革新降低了约20%的动态功耗有助于减少系统发热并提升能源效率。该颗粒支持自动刷新Auto Refresh和自刷新Self Refresh功能。在待机或休眠状态下可显著降低能耗。在电池供电的移动设备或对功耗有要求的嵌入式系统中这一设计有助于延长续航。四、DDR4标准功能与信号完整性H5AN8G6NDJR-XNC集成了完整的DDR4标准功能为高速数据传输提供信号完整性保障信号完整性功能ODT片内终端匹配可编程终端电阻改善信号完整性减少反射ZQ校准ZQ引脚通过外接240Ω±1%电阻接地校准输出驱动器的上拉/下拉阻抗补偿工艺和温度漂移片上VREFDQ生成简化了系统级参考电压分配可靠性功能On-Die ECC片上错误校正提升数据可靠性CRC对数据总线提供循环冗余校验C/A奇偶校验保护命令/地址总线检测非法状态I/O特性数据总线反转DBI减少数据总线上的同时开关噪声SSN支持BC 4和BC 8的突发长度五、封装与物理规格H5AN8G6NDJR-XNC采用96-ball FBGA封装细间距球栅阵列尺寸13.0mm × 7.5mm球间距0.8mm。封装参数规格封装类型FBGA-96封装尺寸13.0mm × 7.5mm球间距0.8mm安装方式表面贴装SMT湿敏等级MSL相关需查阅规格书环保合规RoHS、无铅/无卤FBGA封装的优势占板面积小13.0×7.5mm适合紧凑的内存模组设计电气性能优异短引线降低寄生电感和电容利于高速信号传输适合自动化生产标准SMT封装贴片效率高温度等级该颗粒的工作温度范围为0°C至85°C属商业级Commercial温度等级适用于标准的室内设备和受控环境。存储温度范围符合JEDEC标准。六、型号解码说明H5AN8G6NDJR-XNC遵循SK海力士DDR4产品命名规则代码段解析HSK hynix 存储器标识5ADDR4 SDRAM 产品系列N产品世代/代际标识第五代Die Generation8G容量为8 Gbit6x16数据总线组织16位宽度N标准功耗版本非低功耗版本DJ特定芯片版本/代际R封装类型FBGA-XNC速度等级与温度等级版本DDR4-3200商业级0°C~85°C-XNC后缀中的“X”代表DDR4-3200速率等级“NC”代表商业级工作温度0°C~85°C和标准功耗。七、典型应用领域基于8Gbit容量、DDR4-3200高带宽、1.2V低电压和96-ball FBGA封装特性H5AN8G6NDJR-XNC适用于以下场景个人计算设备高性能笔记本电脑、迷你电脑NUC的内存模组SO-DIMM构建一体机、入门级台式机的板载内存设计服务器与数据中心企业级服务器的内存条组件RDIMM/UDIMM数据中心存储阵列的边缘节点云计算基础设施的内存池工业与嵌入式系统工业控制、自动化设备的系统内存网络通信设备路由器、交换机的数据包缓冲医疗设备和测试测量仪器的主内存消费电子高端智能电视、数字机顶盒、游戏机等对内存带宽有要求的设备H5AN8G6NDJR-XNC | SK海力士 | SK hynix | 海力士 | DDR4 SDRAM | 8Gbit内存颗粒 | 1GB | 512Mx16 | 3200Mbps | DDR4-3200 | 1600MHz | 1.2V | FBGA-96封装 | 96-ball | 0.8mm间距 | 13x7.5mm | JEDEC标准 | 0°C~85°C商业级 | 服务器内存 | 笔记本内存 | 工业计算机 | 嵌入式DRAM | 低功耗DDR4 | RoHS合规 | 多Bank页突发访问 | 自动刷新 | 自刷新 | 替代H5AN8G6NCJR | 海力士DDR4颗粒 | 高性能计算内存 | 内存条组件Email: carrotaunytorchips.com
个人计算、服务器、工业控制：H5AN8G6NDJR-XNC的DDR4内存颗粒应用版图
H5AN8G6NDJR-XNCSK海力士8Gb DDR4-3200内存颗粒的技术解析在服务器、个人电脑及工业嵌入式系统等领域内存的带宽与容量直接影响系统的综合性能。DDR4 SDRAM凭借其成熟的工艺、较高的数据传输速率以及相对较低的功耗仍是当前众多计算平台的基础组件。H5AN8G6NDJR-XNC是SK海力士推出的一款8Gbit DDR4 SDRAM内存颗粒采用512M x 16的组织结构支持最高DDR4-3200规格的数据传输速率为需要高带宽和高能效的通用计算与嵌入式应用提供了可靠的存储方案。一、核心规格与技术参数H5AN8G6NDJR-XNC属于海力士的DDR4 DRAM产品线基于先进的CMOS工艺制造。参数规格制造商SK海力士SK hynix内存类型DDR4 SDRAM存储密度8 Gbit约1 GB组织结构512M × 16512M地址单元16位数据输出封装类型FBGA-96细间距球栅阵列96-ball封装尺寸13.0mm × 7.5mm数据速率3200 MbpsDDR4-3200时钟频率1600 MHz工作电压1.2 VVDD / VDDQ电压范围1.14V ~ 1.26V工作温度0°C ~ 85°C商业级刷新周期64ms内4096次刷新标准符合性JEDEC DDR4标准、RoHS合规二、高速数据传输与带宽DDR4-3200的数据传输速率是该颗粒的核心性能优势。3200Mbps3200 MT/s意味着相较于DDR4-2666约21.3 GB/s理论带宽其在x16配置下提供了更高的数据吞吐能力。在x16数据总线宽度下理论峰值带宽为3200 Mbps × 16位 51.2 Gbps 约6.4 GB/s。这一性能水平足以满足高性能笔记本电脑、入门级服务器及工业计算机对内存带宽的需求。该颗粒支持多Bank页突发访问模式MULTI BANK PAGE BURST支持连续和交错突发长度4和8在顺序访问和随机访问模式之间取得平衡。该器件的最大时钟频率fCLK达1600 MHz数据在时钟的上升沿和下降沿同时传输实现数据速率相对于时钟频率的倍乘。三、低电压与低功耗设计H5AN8G6NDJR-XNC的工作电压为1.2V电压范围1.14V至1.26V。功耗参数典型值工作电压1.2V待机电流最大值33mA供电电流最大值63mA1.2V的标准工作电压是DDR4世代相较DDR31.5V的重要革新降低了约20%的动态功耗有助于减少系统发热并提升能源效率。该颗粒支持自动刷新Auto Refresh和自刷新Self Refresh功能。在待机或休眠状态下可显著降低能耗。在电池供电的移动设备或对功耗有要求的嵌入式系统中这一设计有助于延长续航。四、DDR4标准功能与信号完整性H5AN8G6NDJR-XNC集成了完整的DDR4标准功能为高速数据传输提供信号完整性保障信号完整性功能ODT片内终端匹配可编程终端电阻改善信号完整性减少反射ZQ校准ZQ引脚通过外接240Ω±1%电阻接地校准输出驱动器的上拉/下拉阻抗补偿工艺和温度漂移片上VREFDQ生成简化了系统级参考电压分配可靠性功能On-Die ECC片上错误校正提升数据可靠性CRC对数据总线提供循环冗余校验C/A奇偶校验保护命令/地址总线检测非法状态I/O特性数据总线反转DBI减少数据总线上的同时开关噪声SSN支持BC 4和BC 8的突发长度五、封装与物理规格H5AN8G6NDJR-XNC采用96-ball FBGA封装细间距球栅阵列尺寸13.0mm × 7.5mm球间距0.8mm。封装参数规格封装类型FBGA-96封装尺寸13.0mm × 7.5mm球间距0.8mm安装方式表面贴装SMT湿敏等级MSL相关需查阅规格书环保合规RoHS、无铅/无卤FBGA封装的优势占板面积小13.0×7.5mm适合紧凑的内存模组设计电气性能优异短引线降低寄生电感和电容利于高速信号传输适合自动化生产标准SMT封装贴片效率高温度等级该颗粒的工作温度范围为0°C至85°C属商业级Commercial温度等级适用于标准的室内设备和受控环境。存储温度范围符合JEDEC标准。六、型号解码说明H5AN8G6NDJR-XNC遵循SK海力士DDR4产品命名规则代码段解析HSK hynix 存储器标识5ADDR4 SDRAM 产品系列N产品世代/代际标识第五代Die Generation8G容量为8 Gbit6x16数据总线组织16位宽度N标准功耗版本非低功耗版本DJ特定芯片版本/代际R封装类型FBGA-XNC速度等级与温度等级版本DDR4-3200商业级0°C~85°C-XNC后缀中的“X”代表DDR4-3200速率等级“NC”代表商业级工作温度0°C~85°C和标准功耗。七、典型应用领域基于8Gbit容量、DDR4-3200高带宽、1.2V低电压和96-ball FBGA封装特性H5AN8G6NDJR-XNC适用于以下场景个人计算设备高性能笔记本电脑、迷你电脑NUC的内存模组SO-DIMM构建一体机、入门级台式机的板载内存设计服务器与数据中心企业级服务器的内存条组件RDIMM/UDIMM数据中心存储阵列的边缘节点云计算基础设施的内存池工业与嵌入式系统工业控制、自动化设备的系统内存网络通信设备路由器、交换机的数据包缓冲医疗设备和测试测量仪器的主内存消费电子高端智能电视、数字机顶盒、游戏机等对内存带宽有要求的设备H5AN8G6NDJR-XNC | SK海力士 | SK hynix | 海力士 | DDR4 SDRAM | 8Gbit内存颗粒 | 1GB | 512Mx16 | 3200Mbps | DDR4-3200 | 1600MHz | 1.2V | FBGA-96封装 | 96-ball | 0.8mm间距 | 13x7.5mm | JEDEC标准 | 0°C~85°C商业级 | 服务器内存 | 笔记本内存 | 工业计算机 | 嵌入式DRAM | 低功耗DDR4 | RoHS合规 | 多Bank页突发访问 | 自动刷新 | 自刷新 | 替代H5AN8G6NCJR | 海力士DDR4颗粒 | 高性能计算内存 | 内存条组件Email: carrotaunytorchips.com
