TC5091B 高精度内置 MOSFET 锂电池保护电路

概述TC5091B电路是一款高精度的单节内置MOSFET可充电锂电池的保护电路它集高精度过电压充电保护、过电压放电保护、过电流充放电保护等性能于一身。正常状态下TC5091B的VDD端电压在过电压充电保护阈值VOC和过电压放电保护阈值VOD之间且其 VM检测端电压在充电器检测电压VCHG与过电流放电保护阈值VEDI之间此时 TC5091B使内置N-MOS管导通。这时既可以使用充电器对电池充电也可以通过负载使电池放电。TC5091B 通过检测VDD或VM端电压相对于GND端来进行过充/放电保护。当充/放电保护条件发生时 内置 N-MOS由导通变为截止从而充/放电过程停止。TC5091B对每种保护状态都有相应的恢复条件当 恢复条件满足以后内置N-MOS由截止变为导通从而进入正常状态。TC5091B对每种保护/恢复条件都设置了一定的延迟时间只有在保护/恢复条件持续到相应的时间以后 才进行相应的保护/恢复。如果保护/恢复条件在相应的 延迟时间以前消除则不进入保护/恢复状态。TC5091B工作时功耗非常低采用非常小的DFN-4L(1*1*0.5)的封装使得该芯片非常适合应用于空间限制小的可充电电池组应用。本产品不适用与无线及射频信号排布及屏蔽太差的产品另请客户使用本产品前务必做成品整机验证。特性 单节锂离子或锂聚合物电池的理想保护电路 内置低导通内阻 N-MOSFET 高精度的过充电保护电压检测 4.30V±50mV 高精度的过放保护电压检测2.8V±75mV 高精度过电流放电保护检测 电池短路保护 有 0V充电 带有过充、过放自动恢复功能 低功耗 工作电流 3uA休眠电流0.01uA 超小型化的 DFN-4L(1×1×0.5) MOSFET:RSS(on)72mΩ(VGS3.7V,ID1A)产品应用 锂电池的充电、放电保护电路 电话机电池或其它锂电池高精度保护器订购信息引脚示意图及说明功能框图电压检测阈值及延迟时间极限参数电气参数(除非特别注明典型值的测试条件为VDD 3.6VTA 25℃。标注“■”的工作温度为40℃≤TA≤85℃)典型应用电路图功能描述TC5091B是一款高精度的锂电池保护电路。正常状态下如果对电池进行充电则TC5091B可能会进入过电压充电保护状态同时满足一定条件后又会恢复到正常状态。如果对电池放电则可能会进入过电压放电保护状态或过电流放电保护状态同时满足一定条件后也会恢复到正常状态。正常状态在正常状态下TC5091B由电池供电其VDD端电压在过电压充电保护阈值VOC 和过电压放电保护阈值 VOD之间VM 端电压在充电器检测电压VCHG与过电流放电保护阈值VEDI之间内置 N-MOS管导通。此时既可以使用充电器对电池充电也可以通过负载使电池放电。过电压充电保护状态保护条件正常状态下对电池进行充电如果使VDD端电压升高超过过电压充电保护阈值VOC且持续时间超过过 电压充电保护延迟时间 tOC则 TC5091B将使内置N-MOS管关闭充电回路被“切断” 即TC5091B进入过电压充电保护状态。恢复条件有以下两种条件可以使TC5091B从过电压充电保 护状态恢复到正常状态1电池由于“自放电”使VDD端电压低于过电压充电恢复阈值VOCR2通过负载使电池放电注意此时虽然 内置N-MOS管 关闭但由于其体内二极管的存在使放电回路仍然存在当 VDD端电压低于过电压充电保护阈值VOC且VM端电压高于过电流放电保护阈值VEDI在内置N-MOS 管 导通以前VM端电压将比GND端高一个二极管的导通压降。TC5091B恢复到正常状态以后内置N-MOS管回到导通状态。