简介今天我要向大家介绍的是Semelab的硅 DMOS RF FET 晶体管——D5007UK。这是一款专为 HF/VHF/UHF 通信频段1 MHz 至 200 MHz设计的单端式射频功率场效应管在 50V 工作电压、175 MHz 频率下可提供 150W 的输出功率。作为一款高性能射频器件它具备极低的反向传输电容Crss 典型值 10.5 pF和高增益最小 13 dB特性极大简化了放大器设计其简单的偏置电路与优异的宽带适用性确保了在各类射频应用中实现高效稳定的运行具有低 Crss、高增益及高效率等特性是 HF/VHF/UHF 通信、宽带射频放大及工业通信设备的理想选择。主要特性类型硅 DMOS RF FET单端式/SINGLE ENDED金属栅极金金属化工作条件VDS 50VIDQ 0.7Af 175 MHz输出功率150W在 175 MHz 下功率增益高增益最小 13 dB漏源击穿电压125V反向传输电容Crss典型值 10.5 pF热阻结到外壳最大 0.6°C / W工作/存储温度-65°C 至 150°C存储温度最高结温 200°C相关型号D5011UKD5012UKD5013UKD5014UKD5017UKD5018UKD5021UKD5028UKD5029UKD5030UKD5050UKD1201UKD1202UKD1203UKD1204UK
D5007UK，具备13dB高增益与简单偏置电路的场效应管
简介今天我要向大家介绍的是Semelab的硅 DMOS RF FET 晶体管——D5007UK。这是一款专为 HF/VHF/UHF 通信频段1 MHz 至 200 MHz设计的单端式射频功率场效应管在 50V 工作电压、175 MHz 频率下可提供 150W 的输出功率。作为一款高性能射频器件它具备极低的反向传输电容Crss 典型值 10.5 pF和高增益最小 13 dB特性极大简化了放大器设计其简单的偏置电路与优异的宽带适用性确保了在各类射频应用中实现高效稳定的运行具有低 Crss、高增益及高效率等特性是 HF/VHF/UHF 通信、宽带射频放大及工业通信设备的理想选择。主要特性类型硅 DMOS RF FET单端式/SINGLE ENDED金属栅极金金属化工作条件VDS 50VIDQ 0.7Af 175 MHz输出功率150W在 175 MHz 下功率增益高增益最小 13 dB漏源击穿电压125V反向传输电容Crss典型值 10.5 pF热阻结到外壳最大 0.6°C / W工作/存储温度-65°C 至 150°C存储温度最高结温 200°C相关型号D5011UKD5012UKD5013UKD5014UKD5017UKD5018UKD5021UKD5028UKD5029UKD5030UKD5050UKD1201UKD1202UKD1203UKD1204UK
