HC7913是一款由基准电压源、振荡电路、误差放大电路、相位补偿电路、电流限制电路、PWM/PFM控制电路等构成的CMOS升压型DC/DC控制器。由于使用外接的低导通电阻的增强型N沟道功率MOSFET因此适用于需要高效率、高输出电流的应用电路。另外可通过在VSENSE端子连接电流检测电阻(RSENSE)来限制输出电流。由于将电流检测电压(VSENSE) 设定为100 mV±10%因此可减少在RSENSE端产生的损耗。HC7913外围的输出电容器可使用陶瓷电容器。并且采用了小型的SOT23-6封装因此可适用于高密度安装高精度高效率的应用。特点具有可自由设置的电流限制功能如当设定RSENSE50mΩ时限流值是2A。占空比范围基于PWM/PFM开关控制电路最高可达78% (PWM模式).工作频率1.0MHz基准电压1.25V±2.0%消耗电流低:静止时60 µA (典型值)输出电流3A(VIN 3.6 V, VOUT 5.0 V且设定限流值设定不低于3A)软启动时间: 2 ms典型值UVLO (欠压锁定)功能VDD2.3V外接元器件:电感器、二极管、电容器、晶体管、电阻应用场合移动电源、数码音响播放器LED照明、GPS、无绳收发机其他携带设备封装形式6-pin SOT23-6
HC7913小封装PWM/PFM开关控制具有限流功能升压型DC_DC控制器
HC7913是一款由基准电压源、振荡电路、误差放大电路、相位补偿电路、电流限制电路、PWM/PFM控制电路等构成的CMOS升压型DC/DC控制器。由于使用外接的低导通电阻的增强型N沟道功率MOSFET因此适用于需要高效率、高输出电流的应用电路。另外可通过在VSENSE端子连接电流检测电阻(RSENSE)来限制输出电流。由于将电流检测电压(VSENSE) 设定为100 mV±10%因此可减少在RSENSE端产生的损耗。HC7913外围的输出电容器可使用陶瓷电容器。并且采用了小型的SOT23-6封装因此可适用于高密度安装高精度高效率的应用。特点具有可自由设置的电流限制功能如当设定RSENSE50mΩ时限流值是2A。占空比范围基于PWM/PFM开关控制电路最高可达78% (PWM模式).工作频率1.0MHz基准电压1.25V±2.0%消耗电流低:静止时60 µA (典型值)输出电流3A(VIN 3.6 V, VOUT 5.0 V且设定限流值设定不低于3A)软启动时间: 2 ms典型值UVLO (欠压锁定)功能VDD2.3V外接元器件:电感器、二极管、电容器、晶体管、电阻应用场合移动电源、数码音响播放器LED照明、GPS、无绳收发机其他携带设备封装形式6-pin SOT23-6