APPLIED MATERIALS应用材料0195-01314 为 PVDPhysical Vapor Deposition物理气相沉积设备专用晶圆加热盘适配主流 8 英寸、12 英寸 Wafer晶圆制程。该部件工作温度区间覆盖室温至 600℃温控精度可达 ±0.1℃全域温度均匀性≤±0.3℃升温速率 0-30℃/min可满足等离子体工况下长时间连续运行需求。其主体采用低膨胀特种合金材质表面具备耐等离子体腐蚀、低离子析出特性适配真空腔体作业环境保障 Film薄膜沉积一致性。针对该二手加热盘需执行规范保养每日停机后断电冷却至室温使用无尘布搭配异丙醇轻柔擦拭盘面清除金属颗粒与工艺残留禁止硬质工具刮擦涂层每 200 运行小时开展多点温度校准修正温控偏差每季度检查内部加热元件与 RTD温度传感器连接状态更换老化密封配件避免真空泄漏与局部过热问题。规范保养可稳定设备性能延长二手部件服役周期。海翔科技 专业提供全球二手半导体设备。免责声明Disclaimer一、内容溯源与适用范围Source Scope of Application本文全部技术参数、结构原理、机型适配及对比数据均源自设备原厂官方资料、权威标准文献及公开招标验收文件仅用于技术研究、方案对比及行业参考不作任何商业用途。二、内容效力与权责界定Validity Liability Definition本文观点与结论为通用技术参考非设备原厂官方定论不构成任何商业承诺、履约标准及验收依据未经原厂实测核验不得用于项目验收、举证追责。三、风险承担与合规说明Risk Assumption Compliance Statement使用者擅自套用、篡改本文内容产生的一切风险与法律责任由使用者自行承担本文作者及所属单位不承担任何连带责任。若存在版权及侵权异议将及时核实整改。
二手APPLIED MATERIALS 0195-01314 PVD用加热盘技术规格详解
APPLIED MATERIALS应用材料0195-01314 为 PVDPhysical Vapor Deposition物理气相沉积设备专用晶圆加热盘适配主流 8 英寸、12 英寸 Wafer晶圆制程。该部件工作温度区间覆盖室温至 600℃温控精度可达 ±0.1℃全域温度均匀性≤±0.3℃升温速率 0-30℃/min可满足等离子体工况下长时间连续运行需求。其主体采用低膨胀特种合金材质表面具备耐等离子体腐蚀、低离子析出特性适配真空腔体作业环境保障 Film薄膜沉积一致性。针对该二手加热盘需执行规范保养每日停机后断电冷却至室温使用无尘布搭配异丙醇轻柔擦拭盘面清除金属颗粒与工艺残留禁止硬质工具刮擦涂层每 200 运行小时开展多点温度校准修正温控偏差每季度检查内部加热元件与 RTD温度传感器连接状态更换老化密封配件避免真空泄漏与局部过热问题。规范保养可稳定设备性能延长二手部件服役周期。海翔科技 专业提供全球二手半导体设备。免责声明Disclaimer一、内容溯源与适用范围Source Scope of Application本文全部技术参数、结构原理、机型适配及对比数据均源自设备原厂官方资料、权威标准文献及公开招标验收文件仅用于技术研究、方案对比及行业参考不作任何商业用途。二、内容效力与权责界定Validity Liability Definition本文观点与结论为通用技术参考非设备原厂官方定论不构成任何商业承诺、履约标准及验收依据未经原厂实测核验不得用于项目验收、举证追责。三、风险承担与合规说明Risk Assumption Compliance Statement使用者擅自套用、篡改本文内容产生的一切风险与法律责任由使用者自行承担本文作者及所属单位不承担任何连带责任。若存在版权及侵权异议将及时核实整改。