NT5CC64M16GP-DI 是南亚科技 (Nanya Technology)推出的一款1Gb (即1Gbit) 容量的DDR3L SDRAM低电压版DDR3内存芯片。其“DDR3L”中的“L”代表低电压Low Voltage标准工作电压为1.35V相比标准DDR3的1.5V更省电。 核心参数一览参数类别具体参数基本信息制造商南亚科技 (Nanya Technology)存储器类型DDR3L SDRAM低电压版双倍数据率同步动态随机存储器存储容量1Gb (1Gbit)组织(Organization)64M x 16 (64M words × 16 bits)电气特性工作电压 (VDD)1.283V ~ 1.45V (典型值1.35V)时钟频率 (fCK)最高 800 MHz数据速率可达 1600 MT/s (对应DDR3L-1600)物理规格封装类型VFBGA-96 (96-ball Very Thin Fine-Pitch Ball Grid Array)封装尺寸13mm x 8mm引脚间距0.8mm环境与可靠性工作温度范围0℃ ~ 95℃ (商业级)RoHS合规符合ECCN代码EAR99 典型应用领域凭借其低功耗、高带宽和高集成度的特点该芯片广泛应用于各类对功耗和性能有要求的电子设备中。消费电子智能电视、平板电脑、游戏机、机顶盒(STB)等。网络通信路由器、交换机等网络设备。工业与嵌入式工业控制、仪器仪表、嵌入式系统等。汽车电子车载信息娱乐系统等。计算与存储台式电脑、笔记本电脑、服务器等。新兴技术物联网(IoT)设备、人工智能(AI)、虚拟现实(VR)/增强现实(AR)等。
苏州晟雅泰电子:NT5CC64M16GP-DI这个物料的参数和应用领域剖析
NT5CC64M16GP-DI 是南亚科技 (Nanya Technology)推出的一款1Gb (即1Gbit) 容量的DDR3L SDRAM低电压版DDR3内存芯片。其“DDR3L”中的“L”代表低电压Low Voltage标准工作电压为1.35V相比标准DDR3的1.5V更省电。 核心参数一览参数类别具体参数基本信息制造商南亚科技 (Nanya Technology)存储器类型DDR3L SDRAM低电压版双倍数据率同步动态随机存储器存储容量1Gb (1Gbit)组织(Organization)64M x 16 (64M words × 16 bits)电气特性工作电压 (VDD)1.283V ~ 1.45V (典型值1.35V)时钟频率 (fCK)最高 800 MHz数据速率可达 1600 MT/s (对应DDR3L-1600)物理规格封装类型VFBGA-96 (96-ball Very Thin Fine-Pitch Ball Grid Array)封装尺寸13mm x 8mm引脚间距0.8mm环境与可靠性工作温度范围0℃ ~ 95℃ (商业级)RoHS合规符合ECCN代码EAR99 典型应用领域凭借其低功耗、高带宽和高集成度的特点该芯片广泛应用于各类对功耗和性能有要求的电子设备中。消费电子智能电视、平板电脑、游戏机、机顶盒(STB)等。网络通信路由器、交换机等网络设备。工业与嵌入式工业控制、仪器仪表、嵌入式系统等。汽车电子车载信息娱乐系统等。计算与存储台式电脑、笔记本电脑、服务器等。新兴技术物联网(IoT)设备、人工智能(AI)、虚拟现实(VR)/增强现实(AR)等。