可兼容issi低功耗SRAM/nvSRAM的STT-MRAM替代嵌入式存储方案

作为高性能工业级存储方案RAMSUN推出的S3R8016并口STT-MRAM是一款容量8Mbit的并行异步接口全随机存取存储器可精准对标并替代同功能FRAM、低功耗SRAM及nvSRAM芯片适配各类传统存储替换场景。issi低功耗SRAM产品支持x16、x8两种I/O工作模式兼容性极强同时采用44TSOP2、54TSOP2、48FBGA等多项工业标准封装规格可直接兼容主流硬件设备无需大幅修改电路设计有效降低研发与改造成本。相较于传统存储芯片S3R8016的核心亮点在于全程非易失性数据存储搭配近乎无限的读写耐用特性彻底解决传统低功耗SRAM断电数据丢失、nvSRAM续航受限等产品缺陷。依托非易失、高稳定、低功耗的特性这款STT-MRAM芯片广泛适用于工业控制场景可稳定承担代码存储、实时数据记录、设备数据备份、系统运行内存等核心工作适配复杂工业工况的长期稳定运行需求。目前多数嵌入式设备的主流存储方案均采用“NOR闪存SRAM”组合模式依靠NOR闪存完成程序代码存储同时搭配SRAM作为数据缓冲区、高速缓存使用。以低端智能手机为代表的终端设备长期依赖该双芯片架构但存在硬件冗余、功耗偏高、稳定性不足等问题。而STT-MRAM可实现单芯片替代传统双芯片架构一颗芯片即可同时覆盖NOR闪存代码存储、低功耗SRAM高速缓存的双重功能极大简化嵌入式系统架构精简设备硬件结构在降低整体功耗的同时提升设备运行的稳定性与集成度是当下嵌入式存储升级的优选方案。RAMSUN代理EVERSPIN、NETSOL等多个MRAM品牌如需了解更多低功耗SRAM替代方案、STT-MRAM产品详情可搜索了解。