功率半导体的热阻

功率半导体热设计基础引言功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅（SiC）高功率密度的基础。只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。本系列文章将系统地讲解热设计基础知识、相关标准和工程测量方法。一、散热原理功率半导体器件在开通、关断过程以及导通电流时会产生损耗，损失的能量会转化为热能，表现为半导体器件发热，导致器件各点温度升高。半导体器件的温度升高取决于两个关键因素：产生热量多少（即损耗）散热效率（即散热通路的热阻）二、IGBT模块的风冷散热IGBT模块的风冷散热是典型的散热系统，同时包含了三种散热形式：热传导、热辐射和热对流。2.1 热传导热传导是指固体或液体之间因为温度差而产生热量传递或扩散的现象。热传导的特性可以类比